「缺芯」浪潮洗卷全球，晶片廠商齊擴產能，中芯國際要邁向7nm了

今年開春，全球出現了「缺芯」浪潮，各大車企率先發難，手機廠商紛紛吐槽，晶片一時間像卡住所有人的脖子。

為了解決這場史無前例的晶片產能危機，包括美國在內的多個半導體強國已經動起來了，開始全力解決晶片產能問題。

而歐洲更是直接啟動了萬億晶片扶持項目，希望能打破晶片產能不足的僵局，同時建立獨屬於歐洲的半導體產業鏈。

在全球晶片產能緊缺持續發酵之下，除了晶片廠商擴產能外，國內外的網際網路巨頭們，紛紛入局造芯，海外的谷歌、亞馬遜已經開始造芯了。

國內的華為、百度也在造芯，高調進軍AI晶片領域，騰訊雖然不親自造，但通過投資的方式，幫助了眾多晶片企業，例如燧原科技，專注於AI晶片的商用落地。

而且騰訊除了是投資方外，也成為了燧原科技的使用者。燧原成功流片後，已經與騰訊基於業務真實場景開展了深入合作，這證明了其執行力和落地能力，以及與騰訊的強協同效應。

而近日，國內代工龍頭中芯國際也帶來了好訊息，高調錶示將「出手」擴產。

據公告稱，將經由中芯深圳開展28nm及以上製程的12英寸晶圓生產項目，擬於2022年開始生產。而新項目的規劃月產能為4萬片，比中芯南方在上海開展的12英寸生產項目規劃月產能還多5千片！

不僅如此，中芯國際在花費77億購買光刻機後，再傳好訊息，7nm晶片將在今年4月份進行風險試量產！如果成功的話，我國的晶片製造工藝將有極大的提升。

目前，中芯國際FinFET第一代技術已經成功量產，FinFET第二代技術則處在風險量產階段。

此前，官方表示，中芯國際的FinFET第一代技術實質是14nm工藝改進的12nm工藝，而FinFET第二代技術則包括N+1和N+2，分別對標臺積電7nm和5nm。

從目前的資料來看，就7nm工藝來說，中芯國際與臺積電相比，還是存在一些差距。

臺積電的7nm技術比上一代製程工藝，效能提升35%，而中芯國際只能提升20%。不過，中芯國際的7nm技術功耗大幅降低，是FinFET工藝最大的優勢。

事實上，現行最先進的5nm晶片並不如大家預想的那麼完美，甚至容易頻繁出現功耗翻車問題。

小米11是高通驍龍888首發機型，而888基於三星5nm工藝製成，B站UP主極客灣Geekerwan對小米11做了詳細的評測。

最終的結論是小米11確實是一款好手機，但是驍龍888效能卻令人失望，某些環節甚至比不上865。

在CPU 能耗比檢測中發現，驍龍 888 單核的功耗要比驍龍 865 高出1W，達到3.3W。

全功率開啟的情況下，驍龍 888 功率上升至7.8W，比驍龍865 高出近2W。

就效能的提升幅度來說，犧牲了更多的功耗，在能耗比表現上還不如驍龍 865。

從這一角度來看，很多廠商會為了晶片均衡，在新一代工藝出現前，放緩向先進工藝邁進的腳步。或許中芯國際7nm技術，可以憑藉節電特點，獲得更多使用者青睞。

就5nm、3nm來說，中芯國際的研究已經有所突破，現在只缺EUV光刻機就可以生產了。

而今年2月，清華大學研究團隊基於SSMB 原理，獲得了高功率、高重頻、窄頻寬的相干輻射，波長可覆蓋從太赫茲到極紫外（EUV）波段，可解決EUV光刻機的光源問題，為國產EUV光刻機的出世奠定了重要基礎。

或許在不久的將來中芯國際就可以使用國產EUV光刻機生產5nm、3nm的晶片了！

這次如果中芯國際成功突破了7nm工藝，將成為全球範圍內第三家掌握這項技術的晶片代工企業，也向向廠商證明了技術自研的可行性，我國的晶片「卡脖子」問題就緩解了一半。