DDR4 vs LPDDR4 vs LPDDR4x：有什麼區別？

2021-05-23 21:01:25

LPDDR4是與DDR4記憶體等效的移動裝置。與DDR4相比，它具有更低的功耗，但是卻以頻寬為代價。LPDDR4具有兩個16位通道，從而使每個DIMM的匯流排總長度為32位。相比之下，DDR4每個DIMM具有64位通道。

但是，與此同時，LPDDR4的預取寬度更寬，為16n，每個通道總共（16個字x 16位）256位/ 32位元組，是兩個通道總和的兩倍。

另一方面，DDR4每個通道具有兩個8n預取儲存體。這兩個儲存體是分開的，可以執行兩個獨立的8n預取。這是通過使用多路複用器對其內部儲存庫進行時分多路複用來完成的。每個組每個週期總共有8個字x 64位= 512位（64位元組）。

與DDR4相比，LPDDR4降低了功耗，但這樣做是以頻寬為代價的。LPDDR4具有兩個16位通道，從而形成了32位總匯流排。相比之下，DDR4具有64位通道。

LPDDR4還具有更靈活的突發長度，範圍從16到32（256或512位，32或64位元組），儘管大多數情況下使用16 BL。另一方面，DDR4被限制為每個週期8個突發長度（128位或16位元組），儘管每個儲存體都可以執行額外的傳輸（來自兩個不同的儲存體組）。

要了解突發長度的含義，您需要知道如何訪問記憶體。當CPU或快取記憶體請求新資料時，該地址將傳送到記憶體模組和所需的行，然後找到該列（如果不存在，則載入新行）。請記住，每步操作都會有延遲。之後，整列將以突發方式通過記憶體匯流排傳送。對於DDR4，每個突發為8（或16B）。使用DDR5，它已增加到多達32個（最大64B）。每個時鐘有兩個脈衝串，它們以有效資料速率發生。此外，類似於LPDDR4，DDR5每個DIMM具有兩個32位通道，而雙DIMM配置中總共有四個通道。預取和BL也已增加到16。該數字非常理想，因為記憶體中的每個快取記憶體行的大小都相同。

與標準DDR4記憶體相比，該設計使LPDDR4的電源效率更高，非常適合在電池待機時間長達8-10小時的智慧手機中使用。美光的LPDDR4 RAM以2133 MHz的時鐘達到了最高標準，傳輸速率為4266 MT / s，而三星緊隨其後的是1600MHz的時鐘和3200 MT / s的傳輸速率。此外，如您在下表中所見（來自Wikipedia），儘管LPDDR4（1.1v）具有類似或更高的I / O匯流排時鐘，但其電壓卻比DDR4（1.3v）低得多。

DDR

低功耗DDR

最後，是儲存庫的問題。LPDDR4再一次針對低功耗效能進行了優化，而DDR4儲存器則相反。DDR4記憶體由16個儲存體組組成，每個儲存體包裝四個獨立的儲存體，而LPDDR4和LPDD4X DIMM每個通道總共具有八個儲存體，因此總數為16（16位x 2）。LPDDR5採用類似於DDR4的結構，但這是另一次討論。

LPDDR4與LPDDR4X：有什麼區別？

類似於DDR5降低電壓和功耗的方式，LPDDR4X的作用相同。它將I / O電壓降低了50％（1.12至0.61v），從而大大降低了儲存器以及儲存器控制器的功耗。

此外，速度也從3200MT / s增加到了4266MT / s（無OC）。這是由於I / O匯流排時鐘（1600MHz至2134MHz）和記憶體陣列（200-266.7MHz）更快的結果。命令和地址匯流排已保留有6位SDR空間。最後，它佔用的片上空間更少，單個封裝最多可以包含12GB的DRAM。不利的一面是，LPDDR4X不能與LPDDR4向後相容。即使裝置與更快的LPDDR4記憶體相容，它也可能不適用於LPDDR4X。

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